MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
178-4317
Nº ref. fabric.:
NTTFS6H850NTAG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

WDFN

Serie

NTTFS6H850N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.15 mm

Altura

0.75mm

Longitud

3.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.

Características

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Tamaño pequeño (3x3 mm)

Ventajas

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de conmutación

Diseño compacto

Aplicaciones

Protección de batería inversa

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Rectificación síncrona

Productos finales

Control de motor

Gestión de baterías

Fuentes de alimentación de conmutación

Enlaces relacionados