Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines

Código RS:: 178-4439
Nº ref. fabric.:: NTTFS6H850NTAG
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
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100 - 240	0,356 €	3,56 €
250 - 490	0,347 €	3,47 €
500 - 990	0,303 €	3,03 €
1000 +	0,258 €	2,58 €

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Código RS:: 178-4439
Nº ref. fabric.:: NTTFS6H850NTAG
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	68A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Serie	NTTFS6H850N
	Encapsulado	WDFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.6nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	107W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	3.15mm
	Altura	0.75mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.15 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 68A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Serie NTTFS6H850N
	Encapsulado WDFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 107W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 3.15mm
	Altura 0.75mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.15 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: MY

MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.

Características

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Tamaño pequeño (3x3 mm)

Ventajas

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de conmutación

Diseño compacto

Aplicaciones

Protección de batería inversa

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Rectificación síncrona

Productos finales

Control de motor

Gestión de baterías

Fuentes de alimentación de conmutación

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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