MOSFET onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-4439
- Nº ref. fabric.:
- NTTFS6H850NTAG
- Fabricante:
- onsemi
1490 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
1,438 €
(exc. IVA)
1,74 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,438 € | 14,38 € |
| 100 - 240 | 1,116 € | 11,16 € |
| 250 - 490 | 1,086 € | 10,86 € |
| 500 - 990 | 0,95 € | 9,50 € |
| 1000 + | 0,807 € | 8,07 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4439
- Nº ref. fabric.:
- NTTFS6H850NTAG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.
Características
Baja resistencia
Carga de puerta baja
Tamaño pequeño (3x3 mm)
Ventajas
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de conmutación
Diseño compacto
Aplicaciones
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Rectificación síncrona
Productos finales
Control de motor
Gestión de baterías
Fuentes de alimentación de conmutación
Baja resistencia
Carga de puerta baja
Tamaño pequeño (3x3 mm)
Ventajas
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimiza las pérdidas de conmutación
Diseño compacto
Aplicaciones
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Rectificación síncrona
Productos finales
Control de motor
Gestión de baterías
Fuentes de alimentación de conmutación
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 68 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | WDFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 9,5 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 107 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 3.15mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3,6 nC a 10 V |
| Ancho | 3.15mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 0.75mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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