MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
172-3321
Nº ref. fabric.:
NVTFS6H850NTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NVTFS6H850N

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.75mm

Longitud

3.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.15 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Diseño compacto

Baja rDS(on)

Minimiza pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible

Inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Aplicaciones

Driver de solenoide

Controlador de lado bajo / lado alto

Controladores de motor de automoción

Sistemas de frenado antibloqueo

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