Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 166-2481
Nº ref. fabric.:: FDC6321C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

579,00 €

(exc. IVA)

702,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,193 €	579,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-2481
Nº ref. fabric.:: FDC6321C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	680mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	25V
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.1mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-8/8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	900mW
	Tensión directa Vf	0.89V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.1nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Altura	1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3mm
	Anchura	1.7 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 680mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -8/8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 900mW
	Tensión directa Vf 0.89V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.1nC
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Aislado
	Altura 1mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3mm
	Anchura 1.7 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

FET digitales, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

FET digitales, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

Enlaces relacionados