MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
166-2740
Nº ref. fabric.:
FDC6303N
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

680mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.83V

Disipación de potencia máxima Pd

900mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.64nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

3mm

Altura

1mm

Anchura

1.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

FET digitales, Fairchild Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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