MOSFET de potencia onsemi, N-Canal, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-2740
- Nº ref. fabric.:
- FDC6303N
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 166-2740
- Nº ref. fabric.:
- FDC6303N
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 680mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 900mW | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 680mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 900mW | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
FET digitales, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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