MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 6.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
166-2629
Nº ref. fabric.:
FQD8P10TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

QFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

530mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-4V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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