MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR9120NTRPBF, VDSS 100 V, ID 6.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 827-4082
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-467
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9120NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 100 - 180 | 0,648 € | 12,96 € |
| 200 - 480 | 0,606 € | 12,12 € |
| 500 - 980 | 0,565 € | 11,30 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 827-4082
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-467
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9120NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 480mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 480mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 6,6 A, disipación de potencia máxima de 40 W - IRFR9120NTRPBF
Este MOSFET desempeña un papel vital en los circuitos electrónicos contemporáneos, especialmente en aplicaciones que requieren una gestión eficaz de la corriente. Se caracteriza por su capacidad para ofrecer un alto rendimiento y una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de sistemas eléctricos y electrónicos. Este dispositivo está diseñado para satisfacer los requisitos de sectores como la automatización, la ingeniería eléctrica y otras áreas dependientes de soluciones de gestión de la energía.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua de 6,6 A para un funcionamiento eficaz
• Capaz de gestionar tensiones de hasta 100 V para aplicaciones exigentes
• Diseñado en encapsulado DPAK TO-252 para un montaje preciso en superficie
• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 480mΩ mejora la eficiencia energética
• Ofrece un umbral de tensión de puerta de 2 V a 4 V para un control fiable
• Admite el funcionamiento en modo de mejora para aumentar el rendimiento de la conmutación
Aplicaciones
• Utilizado para la gestión de la energía en sistemas de automatización
• Empleado en diseños de convertidores CC-CC
• Adecuado para conmutación de alta corriente en equipos industriales
• Integrado en los circuitos de alimentación para un rendimiento eficaz
• Aplicable en circuitos inversores y control de motores
¿Cuál es la temperatura óptima de funcionamiento de este producto?
La temperatura óptima de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C, lo que permite un rendimiento eficaz en diversos entornos.
¿Cómo puede influir la tensión de umbral de puerta en el rendimiento?
La tensión umbral de puerta máxima influye en el comportamiento de conmutación; el rango definido de 2V a 4V garantiza unas condiciones de encendido/apagado fiables.
¿Existe algún método específico para montar este dispositivo?
Está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, en particular dentro de la huella DPAK TO-252, lo que facilita la integración en diseños de placas de circuito impreso.
¿Qué significa RDS(on) bajo para mi circuito?
Un RDS(on) bajo ayuda a minimizar la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general del sistema y reduciendo la generación de calor.
¿Este producto soporta la corriente inversa?
Sí, posee características adecuadas para gestionar eficazmente las corrientes inversas, garantizando la estabilidad en diversas aplicaciones.
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