MOSFET onsemi, N-Canal FDY300NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SOT-523 (SC-89), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 166-2664
- Nº ref. fabric.:
- FDY300NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 166-2664
- Nº ref. fabric.:
- FDY300NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 20 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 600 mA | |
| Encapsulado | SOT-523 (SC-89) | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 780 μm | |
| Longitud | 1.7 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 240 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V, -12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 625 mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | PowerTrench | |
| Anchura | 980 μm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 20 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 600 mA | ||
Encapsulado SOT-523 (SC-89) | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 780 μm | ||
Longitud 1.7 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 240 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V, -12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 625 mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie PowerTrench | ||
Anchura 980 μm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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