MOSFET onsemi FDY3000NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 166-1809
Nº ref. fabric.:: FDY3000NZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDY3000NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,119 €

(exc. IVA)

0,144 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,119 €	357,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-1809
Nº ref. fabric.:: FDY3000NZ
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SC-89-6
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	700 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	625 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,8 nC a 4,5 V
Longitud	1.6mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.2mm
Altura	0.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C