MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal 2N7002DW, VDSS 60 V, ID 115 mA, SC-70, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 761-3571
- Número de artículo Distrelec:
- 304-45-641
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002DW
- Fabricante:
- onsemi
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 115mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 115mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El 2N7002DW es un MOSFET de doble canal N de uso general. Presenta resistencia de bajo encendido y tensión de umbral de puerta baja. También cuenta con una velocidad de conmutación rápida y está disponible en un paquete de montaje en superficie ultrapequeño. Este MOSFET Dual N-channel se utiliza normalmente en todas las aplicaciones de uso general, pero se utiliza comúnmente en controles de motor y PMF (Power Management Functions).
Características y ventajas:
• Dual N-Channel
• Baja resistencia
• Umbral de puerta bajo
• Velocidad de conmutación rápida
• Baja fuga de entrada y salida
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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