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MOSFET onsemi FDY301NZ, VDSS 20 V, ID 200 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-2666
Nº ref. fabric.:: FDY301NZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDY301NZ, VDSS 20 V, ID 200 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 166-2666
Nº ref. fabric.:: FDY301NZ
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-523 (SC-89)
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	625 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	0.98mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,8 nC a 4,5 V
Longitud	1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.78mm