MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTH12N100L, VDSS 1 kV, ID 12 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

454,56 €

(exc. IVA)

550,02 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 840 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
30 +15,152 €454,56 €

*precio indicativo

Código RS:
168-4606
Nº ref. fabric.:
IXTH12N100L
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Serie

Linear

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

400W

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

155nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.26mm

Altura

21.46mm

Anchura

5.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear


MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados