MOSFET IXYS IXFK64N50Q3, VDSS 500 V, ID 64 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-4706
Nº ref. fabric.:: IXFK64N50Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFK64N50Q3, VDSS 500 V, ID 64 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 06/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 25)

24,062 €

(exc. IVA)

29,115 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
25 +	24,062 €	601,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4706
Nº ref. fabric.:: IXFK64N50Q3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: US

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Tipo de Encapsulado	TO-264
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	85 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	1 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	145 nC a 10 V
Longitud	19.96mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	26.16mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C