MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 64 A, Mejora, TO-264 de 3 pines

Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*

288,60 €

(exc. IVA)

349,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 50 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
25 +11,544 €288,60 €

*precio indicativo

Código RS:
168-4735
Nº ref. fabric.:
IXFK64N60P3
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-264

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.13kW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

145nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

19.96mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

26.16mm

Anchura

5.13 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™


Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados