MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 135 V, ID 129 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
168-5948
Nº ref. fabric.:
IRF135S203
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

129A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

135V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Disipación de potencia máxima Pd

441W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Altura

9.65mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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