MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 135 V, ID 129 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

87,00 €

(exc. IVA)

105,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 27 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 501,74 €87,00 €
100 - 2001,392 €69,60 €
250 - 4501,322 €66,10 €
500 - 9501,256 €62,80 €
1000 +1,224 €61,20 €

*precio indicativo

Código RS:
260-5935
Nº ref. fabric.:
IRF135B203
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

129A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

135V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de infrarrojos Infineon de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente

Enlaces relacionados