MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 168-6701
- Nº ref. fabric.:
- STD3NK80Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 75 unidades)*
77,025 €
(exc. IVA)
93,225 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 30 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 1,027 € | 77,03 € |
| 150 + | 0,966 € | 72,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-6701
- Nº ref. fabric.:
- STD3NK80Z-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.2mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.2mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, IPAK de 3 pines