MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1, VDSS 800 V, ID 2,5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 687-5352
Nº ref. fabric.:: STD3NK80Z-1
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STD3NK80Z-1, VDSS 800 V, ID 2,5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

60 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,752 €

(exc. IVA)

2,12 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 20	1,752 €	8,76 €
25 - 45	1,644 €	8,22 €
50 - 120	1,562 €	7,81 €
125 - 245	1,47 €	7,35 €
250 +	1,398 €	6,99 €

*precio indicativo

Código RS:: 687-5352
Nº ref. fabric.:: STD3NK80Z-1
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado	IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	70 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.6mm
Ancho	2.4mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	6.2mm