MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 4.1 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
188-4879
Nº ref. fabric.:
SIHU4N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SiHU4N80AE

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.44Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.38 mm

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

E Serie Power MOSFET

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Capacitancia efectiva baja (Ciss)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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