MOSFET Vishay SIHU4N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,1 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 188-4943
- Nº ref. fabric.:
- SIHU4N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 29/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,438 €
(exc. IVA)
1,74 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,438 € | 7,19 € |
| 50 - 120 | 1,308 € | 6,54 € |
| 125 - 245 | 1,236 € | 6,18 € |
| 250 - 495 | 1,178 € | 5,89 € |
| 500 + | 1,15 € | 5,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-4943
- Nº ref. fabric.:
- SIHU4N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
E Serie Power MOSFET
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Capacitancia efectiva baja (Ciss)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)
Capacitancia efectiva baja (Ciss)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,1 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Tipo de Encapsulado | IPAK (TO-251) |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,44 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 62,5 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Longitud | 6.73mm |
| Ancho | 2.38mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 11 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 6.22mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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