MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHU5N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 5.3 A, IPAK

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7417
Nº ref. fabric.:
SIHU5N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TO-251AA de orificio pasante de 500 V, 5,3 A (Tc), 104 W (Tc) de canal N de Vishay Semiconductor y sus aplicaciones son displays de electrónica de consumo, fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones, SMPS y en aplicaciones industriales son soldadura, calefacción por inducción, accionamientos de motor y cargadores de baterías.

Baja resistencia de conexión específica de área

Pérdidas de conmutación capacitiva reducidas

Alta resistencia del diodo del cuerpo

Eficiencia y funcionamiento óptimos

Circuito de accionamiento de puerta sencillo

Conmutación rápida

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