MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
210-4995
Nº ref. fabric.:
SIHU2N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

IPAK

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Altura

2.18mm

Estándar de automoción

No

Vishay serie E MOSFET de potencia tiene tipo de encapsulado IPAK (TO-251).

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (CISS)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Protección ESD de diodo Zener integrado

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