MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-4982
Número de artículo Distrelec:
304-38-847
Nº ref. fabric.:
SIHD2N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SiHD2N80AE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.25mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

E Serie Power MOSFET.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Capacitancia efectiva baja (Ciss)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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