MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2852
Nº ref. fabric.:
SiHD5N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-252

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.35Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en electrónica industrial. Se suministra en un encapsulado TO-252 compacto de montaje en superficie y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión robusto y una capacidad de corriente continua moderada en un tamaño pequeño.

Características y ventajas:


• La tolerancia de drenaje de 850 V permite la integración de sistemas de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 4,4 A admite conmutación de carga moderada • La Rds(on) de 1,35 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga • La carga de puerta típica de 11 nC permite un diseño de accionamiento de puerta eficiente • La disipación de potencia de 62,5 W gestiona la carga térmica en diseños compactos • La temperatura de unión máxima de 150 °C mantiene el funcionamiento a alta temperatura

Aplicaciones


• Apto para SMPS y convertidores en sistemas de control industrial • Ideal para topologías de retorno y impulso en fuentes de alimentación • Se utiliza para conmutación del lado de la línea en controladores LED y controles de iluminación • Se puede utilizar para etapas de preregulación de alta tensión en cargadores de baterías

¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse para un funcionamiento seguro?


La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta durante las transiciones de conmutación.

¿Cómo afecta el margen térmico a las opciones de diseño de PCB?


Con una capacidad de disipación de 62,5 W y una alta capacidad de unión, los diseñadores deben proporcionar un área de cobre o vías térmicas adecuadas para eliminar el calor del patrón de tierra TO-252.

¿Es este dispositivo adecuado para sistemas de automoción?


No está especificado para uso estándar de automoción y no debe seleccionarse donde la certificación de automoción es obligatoria.

¿Qué compensaciones de conmutación surgen de la cifra de carga de puerta?


La carga de puerta de 11 nC equilibra la velocidad de conmutación y la energía de accionamiento, lo que requiere controladores de puerta de tamaño para los tiempos de subida/bajada deseados y la frecuencia de conmutación.

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