MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2852
- Nº ref. fabric.:
- SiHD5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2852
- Nº ref. fabric.:
- SiHD5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y amplificación en electrónica de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una capacidad de bloqueo robusta y un manejo de corriente continua moderado al tiempo que ocupa un espacio de montaje en superficie TO-252.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje-fuente de 850 V que permite la conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 1,35 Ω admite pérdidas de conducción controladas
• Corriente de drenaje continua de 4,4 A para un funcionamiento de carga constante
• Disipación máxima de 62,5 W para un rendimiento térmico óptimo
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Límite de fuente de puerta de 30 V que permite rangos de accionamiento de puerta estándar
• La Rds(on) de 1,35 Ω admite pérdidas de conducción controladas
• Corriente de drenaje continua de 4,4 A para un funcionamiento de carga constante
• Disipación máxima de 62,5 W para un rendimiento térmico óptimo
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Límite de fuente de puerta de 30 V que permite rangos de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para etapas de regulación de potencia en modo conmutado
• Puede utilizarse para circuitos de interfaz de línea de telecomunicaciones y servicios públicos
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para etapas de regulación de potencia en modo conmutado
• Puede utilizarse para circuitos de interfaz de línea de telecomunicaciones y servicios públicos
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie
¿Qué rango de temperaturas de funcionamiento puedo esperar para un funcionamiento fiable?
El dispositivo funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.
¿Cómo debo tener en cuenta el diseño de accionamiento de puerta con este componente?
Diseño para un Vgs máximo de 30 V y cuenta con la carga de puerta típica de 11 nC al dimensionar los controladores para cumplir los requisitos de velocidad de conmutación y corriente de accionamiento.
¿Qué consideraciones de embalaje y montaje se aplican al montaje?
Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie, por lo que se debe planificar un patrón de tierra y vias térmicas para gestionar la disipación de potencia.
¿Es adecuado para diseños con certificación de automoción?
No está especificado para cumplir los estándares de automoción, por lo que debe evaluarse frente a cualquier requisito específico del vehículo antes de su uso.
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