MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 228-2851
Nº ref. fabric.:: SiHD5N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 228-2851
Nº ref. fabric.:: SiHD5N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	850V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.35Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	11nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	62.5W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V
	Encapsulado TO-252
	Serie E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 62.5W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,4 A - SiHD5N80AE-GE3

Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en electrónica industrial. Se suministra en un encapsulado TO-252 compacto de montaje en superficie y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión robusto y una capacidad de corriente continua moderada en un tamaño pequeño.

Características y ventajas:

• La tolerancia de drenaje de 850 V permite la integración de sistemas de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 4,4 A admite conmutación de carga moderada • La Rds(on) de 1,35 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga • La carga de puerta típica de 11 nC permite un diseño de accionamiento de puerta eficiente • La disipación de potencia de 62,5 W gestiona la carga térmica en diseños compactos • La temperatura de unión máxima de 150 °C mantiene el funcionamiento a alta temperatura

Aplicaciones

• Apto para SMPS y convertidores en sistemas de control industrial • Ideal para topologías de retorno y impulso en fuentes de alimentación • Se utiliza para conmutación del lado de la línea en controladores LED y controles de iluminación • Se puede utilizar para etapas de preregulación de alta tensión en cargadores de baterías

¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse para un funcionamiento seguro?

La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta durante las transiciones de conmutación.

¿Cómo afecta el margen térmico a las opciones de diseño de PCB?

Con una capacidad de disipación de 62,5 W y una alta capacidad de unión, los diseñadores deben proporcionar un área de cobre o vías térmicas adecuadas para eliminar el calor del patrón de tierra TO-252.

¿Es este dispositivo adecuado para sistemas de automoción?

No está especificado para uso estándar de automoción y no debe seleccionarse donde la certificación de automoción es obligatoria.

¿Qué compensaciones de conmutación surgen de la cifra de carga de puerta?

La carga de puerta de 11 nC equilibra la velocidad de conmutación y la energía de accionamiento, lo que requiere controladores de puerta de tamaño para los tiempos de subida/bajada deseados y la frecuencia de conmutación.