MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHD11N80AE-T1-GE3, VDSS 850 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 228-2849
Nº ref. fabric.:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHD11N80AE-T1-GE3, VDSS 850 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 228-2849
Nº ref. fabric.:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	850V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	450mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	78W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	28nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V
	Encapsulado TO-252
	Serie E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 78W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3

Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación de potencia en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un rango ambiente ampliado y es adecuado para circuitos que requieren una capacidad de tensión de drenaje-fuente elevada y un manejo de corriente continua modesto. El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-252 y cumple con RoHS.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 850 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 450 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia máxima de 78 W soporta un estrés térmico significativo
• La carga total de puerta de 28 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La caída de diodo de avance de 1,2 V minimiza las pérdidas por conducción inversa

Aplicaciones

• Se utiliza para convertidores e inversores de conmutación de alta tensión
• Apto para fuentes de alimentación industriales y carriles auxiliares
• Ideal para topologías de medio puente y modo de conmutación
• Se puede utilizar para etapas de puerta de accionamiento de motor con corriente modesta
• Se utiliza con placas de gestión de potencia discretas en equipos de consumo

¿Para qué rango de tensión de accionamiento de puerta debería diseñar?

El dispositivo tolera hasta 30 V entre la puerta y la fuente

diseñar controladores de puerta dentro de este límite y seleccionar tensiones de accionamiento adecuadas para la velocidad de conmutación y los márgenes de seguridad.

¿Cómo afecta la temperatura al funcionamiento del dispositivo?

Valor nominal para funcionamiento de -55 °C a 150 °C, el rendimiento térmico dictará los ciclos de trabajo admisibles y puede requerir un disipador térmico o vías térmicas de PCB para mantener temperaturas de unión bajo alta disipación.

¿Qué consideraciones de montaje y disposición son importantes?

Como encapsulado de montaje en superficie TO-252, garantiza un área de cobre adecuada para la propagación del calor y vías cortas y de baja inductancia para el drenaje y la fuente para mejorar el rendimiento térmico y de conmutación.

¿Cómo influye el tipo de canal en el diseño del circuito?

El modo de mejora de canal N requiere una tensión de puerta a fuente positiva para conducir, por lo que la polaridad y el nivel de accionamiento de puerta deben proporcionarse en consecuencia en el circuito de control.