MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD11N80AE-T1-GE3, VDSS 850 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
228-2849
Nº ref. fabric.:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-252

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

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