MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHD11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4979
- Nº ref. fabric.:
- SIHD11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
4,94 €
(exc. IVA)
5,98 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2975 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,988 € | 4,94 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-4979
- Nº ref. fabric.:
- SIHD11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 391mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.4mm | |
| Altura | 2.2mm | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 391mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.4mm | ||
Altura 2.2mm | ||
Anchura 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, disipación de potencia de 78 W - SIHD11N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de conmutación y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona en un rango de temperatura muy amplio y está diseñado para entornos exigentes donde se requiere un manejo de alta tensión de drenaje y capacidad de corriente moderada, al tiempo que cumple las restricciones RoHS.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite topologías de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8 A admite circuitos de potencia moderados
• La Rds(on) de 391 mΩ reduce las pérdidas de conducción a la corriente nominal
• La disipación de potencia máxima de 78 W permite un manejo térmico considerable
• La carga de puerta típica de 28 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• El umbral de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La corriente de drenaje continua de 8 A admite circuitos de potencia moderados
• La Rds(on) de 391 mΩ reduce las pérdidas de conducción a la corriente nominal
• La disipación de potencia máxima de 78 W permite un manejo térmico considerable
• La carga de puerta típica de 28 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• El umbral de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para etapas de convertidor de medio puente y impulso
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor industriales
• Se puede utilizar para cargador fuera de línea y control de iluminación
• Adecuado para módulos de telecomunicaciones y distribución de potencia
• Ideal para etapas de convertidor de medio puente y impulso
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor industriales
• Se puede utilizar para cargador fuera de línea y control de iluminación
• Adecuado para módulos de telecomunicaciones y distribución de potencia
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie para facilitar el acoplamiento térmico al cobre de la placa de circuito impreso.
¿Qué rango térmico puede soportar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en condiciones de temperatura extremas.
¿Cómo afecta la tensión directa a los cálculos de pérdida de potencia?
Se debe incluir una tensión directa de 1,2 V al estimar las pérdidas de conducción y conmutación en intervalos de conducción de diodos y disposiciones síncronas.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 30 V, por lo que los controladores de puerta y la protección deben evitar excursiones por encima de este valor.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines