MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4971
- Nº ref. fabric.:
- SIHB17N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 210-4971
- Nº ref. fabric.:
- SIHB17N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 14.61mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.06mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 14.61mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.06mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 15 A - SIHB17N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Funciona como transistor de modo de mejora y se suministra en un encapsulado de montaje superficial TO-263 para usar en placas de circuito pobladas. El componente está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión de fuente de drenaje alta y una gestión térmica compacta.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 15 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 250 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La capacidad de disipación de potencia de 179 W ayuda a la estabilidad térmica
• La carga de puerta típica de 41 nC garantiza transiciones de conmutación más rápidas
• El límite Vgs de 30 V protege la puerta contra sobretensión
• La corriente de drenaje continua de 15 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 250 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La capacidad de disipación de potencia de 179 W ayuda a la estabilidad térmica
• La carga de puerta típica de 41 nC garantiza transiciones de conmutación más rápidas
• El límite Vgs de 30 V protege la puerta contra sobretensión
Aplicaciones
• Apto para conmutación de lado primario SMPS de alta tensión
• Ideal para conmutación de etapa de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para convertidores frontales de corrección de factor de potencia
• Se puede utilizar para secciones de alta tensión de inversor y SAI
• Ideal para conmutación de etapa de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para convertidores frontales de corrección de factor de potencia
• Se puede utilizar para secciones de alta tensión de inversor y SAI
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Funciona en entornos ambientales extremos de -55 °C a una temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C, adecuado para entornos de temperatura elevada.
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta a la PCB?
El dispositivo proporciona tres contactos eléctricos compatibles con la topología MOSFET común para conexiones de drenaje, puerta y fuente.
¿Qué consideraciones sobre el embalaje afectan a la disipación térmica?
El encapsulado de montaje en superficie TO-263 ofrece una ruta térmica de perfil bajo a la PCB y está diseñado para la fijación a una tierra de cobre de tamaño adecuado para la propagación del calor.
¿Es adecuado para diseños cualificados para automoción?
No está especificado como conforme con el estándar de automoción y debe evaluarse en consecuencia para aplicaciones de vehículos.
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