MOSFET, N-Canal Vishay SIHB17N80E-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
204-7227
Nº ref. fabric.:
SIHB17N80E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SiHB17N80E

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Altura

15.88mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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