MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 204-7226
- Nº ref. fabric.:
- SIHB17N80E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
2.559,00 €
(exc. IVA)
3.096,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,559 € | 2.559,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-7226
- Nº ref. fabric.:
- SIHB17N80E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SiHB17N80E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 122nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 15.88mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SiHB17N80E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 122nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 15.88mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines