MOSFET, N-Canal Vishay SIHB17N80E-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
204-7226
Nº ref. fabric.:
SIHB17N80E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHB17N80E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.88mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene una figura de mérito (FOM) Ron x QG baja y una capacitancia de entrada (CISS) baja.

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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