MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

34,65 €

(exc. IVA)

41,95 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 1950 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 +0,693 €34,65 €

*precio indicativo

Código RS:
210-4966
Nº ref. fabric.:
SIHB11N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

391mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

9.65 mm

Altura

4.06mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

14.61mm

Estándar de automoción

No

Vishay serie E MOSFET de potencia tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con configuración única.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (CISS)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Protección ESD de diodo Zener integrado

Enlaces relacionados