MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4969
- Nº ref. fabric.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
84,20 €
(exc. IVA)
101,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 2950 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,684 € | 84,20 € |
| 100 - 200 | 1,347 € | 67,35 € |
| 250 + | 1,179 € | 58,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-4969
- Nº ref. fabric.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 304mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 158W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 14.61mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.06mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 158W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 14.61mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.06mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con corriente de drenaje de 13 A.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines