MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHB15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4969
- Nº ref. fabric.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 210-4969
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- SIHB15N80AE-GE3
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 304mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.06mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 14.61mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.06mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 14.61mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 13 A - SIHB15N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en electrónica industrial. Está diseñado para montaje en superficie en encapsulados TO-263 y funciona en un amplio rango térmico para aplicaciones exigentes donde se requiere un manejo de tensión robusto y un montaje compacto.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 13 A admite corrientes de carga sustanciales • La Rds(on) de 304 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento • La carga de puerta típica de 35 nC permite un control de conmutación eficiente • La unidad de puerta máxima de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes • La disipación de potencia de 156 W mejora el manejo térmico bajo carga
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motores de alta tensión en sistemas de automatización • Ideal para fuentes de alimentación que requieren interruptores compactos de montaje en superficie • Se utiliza para tareas de conmutación de inversores y convertidores industriales • Puede utilizarse para protección de alta tensión y circuitos de abrazadera
¿En qué rango de temperaturas puede funcionar?
Funciona desde -55 °C hasta una temperatura de unión máxima de 150 °C para entornos de alta temperatura.
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para instalación de montaje en superficie en placas.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observar los diseñadores?
El dispositivo no debe superar una tensión de puerta a fuente de 30 V para evitar la tensión de puerta.
¿Cómo influye su disipación de potencia en el diseño térmico?
La potencia nominal de 156 W guía el disipador térmico y la asignación de cobre en PCB para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites.
¿Qué configuración de contactos se proporciona?
El componente ofrece una disposición de tres contactos compatible con los diseños de MOSFET de potencia estándar.
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