MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 210-4992
- Nº ref. fabric.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
7,68 €
(exc. IVA)
9,295 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 895 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,536 € | 7,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-4992
- Nº ref. fabric.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 304mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.96mm | |
| Altura | 4.24mm | |
| Longitud | 27.69mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.96mm | ||
Altura 4.24mm | ||
Longitud 27.69mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 13 A - SIHP15N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Está fabricado para montaje en orificio pasante en un encapsulado TO-220AB y admite entornos térmicos y eléctricos exigentes, lo que ofrece un equilibrio de tolerancia de tensión y manejo de corriente para usar en controladores, convertidores y etapas de potencia.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje a fuente de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 13 A admite corrientes de carga moderadas • La resistencia de conexión de 304 mΩ minimiza las pérdidas por conducción • La disipación de potencia de 156 W permite un rendimiento térmico sustancial • La carga de puerta típica de 53 nC permite una dinámica de conmutación controlada • El límite de fuente de puerta de 30 V garantiza un margen de accionamiento de puerta robusto
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión • Ideal para extremos delanteros de accionamiento de motor industriales • Se utiliza para interruptores primarios de fuente de alimentación de modo conmutado • Se puede utilizar para etapas de corrección de factor de potencia • Se utiliza con controladores de puerta en diseños de inversores de potencia media
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Funciona entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas de funcionamiento ambiente y elevadas.
¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje?
Está diseñado para la instalación de orificios pasantes en una PCB con el encapsulado TO-220AB y sus tres contactos.
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta deben observarse?
Mantenga la unidad de puerta dentro de ±30 V máximo y tenga en cuenta la carga de puerta típica de 53 nC al dimensionar la corriente del controlador para la velocidad de conmutación deseada.
¿Cómo debe gestionarse la gestión térmica para un funcionamiento fiable?
Utilice un disipador térmico o una interfaz térmica adecuada para mantener las temperaturas de unión por debajo de los límites nominales dadas la capacidad de disipación de 156 W y los ciclos de trabajo específicos de la aplicación.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines