MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
210-4992
Nº ref. fabric.:
SIHP15N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

304mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

27.69mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.24mm

Anchura

9.96 mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado TO-220AB con corriente de drenaje de 13 A.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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