MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

Código RS:: 210-4992
Nº ref. fabric.:: SIHP15N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:: 210-4992
Nº ref. fabric.:: SIHP15N80AE-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	13A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	800V
	Encapsulado	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	304mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	53nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	156W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	9.96mm
	Altura	4.24mm
	Longitud	27.69mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 13A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V
	Encapsulado JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 156W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 9.96mm
	Altura 4.24mm
	Longitud 27.69mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHP15N80AE

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 13 A - SIHP15N80AE-GE3

Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para montaje en orificio pasante en circuitos de conversión de potencia y control. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una resistencia a tensiones elevadas, una capacidad de corriente continua moderada y una conmutación de modo de mejora controlada por puerta. El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-220AB con tres contactos para la instalación convencional de placa o disipador térmico.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 13 A admite un suministro de carga sostenido
• La Rds(on) de 304 mΩ minimiza las pérdidas por conducción en la conmutación
• La disipación de potencia de 156 W permite un manejo térmico significativo
• La carga total de puerta de 53 nC mantiene los requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• La tolerancia de puerta-fuente de 30 V permite márgenes de tensión de accionamiento robustos

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para circuitos de amortiguación y abrazadera en inversores industriales
• Ideal para etapas de potencia de modo conmutado en controles de iluminación
• Se puede utilizar para extremos frontales de accionamiento de motor con montaje en orificio pasante
• Se utiliza con plataformas de prueba de laboratorio que requieren un manejo de tensión elevada

¿Qué rango ambiental puede tolerar en instalaciones exigentes?

Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos fríos y de altas temperaturas.

¿Cómo se monta el componente para una disipación térmica eficaz?

El encapsulado TO-220AB está diseñado para fijación de orificio pasante y se puede montar en un disipador térmico para mejorar el rendimiento térmico.

¿Qué tipo de canal y modo de conducción emplea?

El dispositivo es un MOSFET de modo de mejora de canal N, que requiere un accionamiento de puerta positivo para conducir.

¿Qué característica eléctrica determina la caída de tensión de conmutación?

El parámetro de tensión directa de 1,2 V es indicativo del comportamiento de tensión de conducción del dispositivo durante el flujo de corriente directa.