MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 225-9918
- Nº ref. fabric.:
- SIHP5N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 225-9918
- Nº ref. fabric.:
- SIHP5N80AE-GE3
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Anchura | 4.65mm | |
| Altura | 15.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35Ω | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.52mm | ||
Anchura 4.65mm | ||
Altura 15.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,4 A - SIHP5N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para usar en sistemas de conversión de potencia y control. Funciona como un dispositivo de canal N capaz de manejar tensiones de drenaje-fuente elevadas, diseñado para aplicaciones de montaje en superficie donde se requiere un rendimiento térmico y eléctrico robusto.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 4,4 A permite una manipulación moderada de la carga
• La Rds(on) de 1,35 Ω reduce las pérdidas de conducción a la corriente de funcionamiento
• La disipación de potencia de 62,5 W admite ciclos de potencia sostenidos
• La tolerancia de puerta de 30 V permite amplios márgenes de accionamiento de puerta
• La carga de puerta típica de 16,5 nC ayuda a un comportamiento de conmutación predecible
• La corriente de drenaje continua de 4,4 A permite una manipulación moderada de la carga
• La Rds(on) de 1,35 Ω reduce las pérdidas de conducción a la corriente de funcionamiento
• La disipación de potencia de 62,5 W admite ciclos de potencia sostenidos
• La tolerancia de puerta de 30 V permite amplios márgenes de accionamiento de puerta
• La carga de puerta típica de 16,5 nC ayuda a un comportamiento de conmutación predecible
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan carriles de dc altos
• Ideal para etapas de conmutación frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para circuitos de amortiguación o abrazadera de alta tensión en sistemas de alimentación
• Puede utilizarse para interruptores de convertidor de impulso aislados en automatización
• Ideal para etapas de conmutación frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para circuitos de amortiguación o abrazadera de alta tensión en sistemas de alimentación
• Puede utilizarse para interruptores de convertidor de impulso aislados en automatización
¿En qué rango térmico puede funcionar el dispositivo?
Funciona entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en amplias temperaturas ambientales.
¿Cómo se maneja el montaje para el montaje en PCB?
El encapsulado es de tipo TO-220AB de montaje en superficie con tres contactos para opciones de fijación a través de placa o disipador térmico.
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta debo tener en cuenta?
La potencia nominal de puerta-fuente es de 30 V, por lo que los controladores de puerta deben limitar las excursiones dentro de ese umbral para evitar daños.
¿Cuál es el impacto energético típico del accionamiento de puerta?
El dispositivo presenta una carga de puerta típica de 16,5 nC, lo que informa el tamaño del controlador y los cálculos de pérdida de conmutación.
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