MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4967
- Nº ref. fabric.:
- SIHB11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
13,14 €
(exc. IVA)
15,90 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,628 € | 13,14 € |
| 50 - 120 | 2,366 € | 11,83 € |
| 125 - 245 | 2,236 € | 11,18 € |
| 250 - 495 | 2,102 € | 10,51 € |
| 500 + | 1,944 € | 9,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-4967
- Nº ref. fabric.:
- SIHB11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 391mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 14.61mm | |
| Altura | 4.06mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 391mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 14.61mm | ||
Altura 4.06mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Vishay serie E MOSFET de potencia tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con configuración única.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (CISS)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Protección ESD de diodo Zener integrado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines