MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
228-2848
Nº ref. fabric.:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-252

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 8 A - SIHD11N80AE-T1-GE3


Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en diseños de potencia industrial. Funciona como dispositivo de modo de mejora y es adecuado para circuitos que requieren alta capacidad de tensión de drenaje a fuente y manejo de corriente continua moderada en entornos de temperatura elevada.

Características y ventajas:


• La tensión máxima de drenaje a fuente de 850 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 8 A admite requisitos de accionamiento de carga moderados • La Rds(on) de 450 mΩ reduce las pérdidas de conducción en circuitos de alta tensión • La disipación de potencia máxima de 78 W permite una mayor capacidad térmica • La tolerancia de puerta de 30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos • La carga de puerta típica de 28 nC ayuda a un rendimiento de conmutación predecible

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión • Ideal para extremos frontales de accionamiento de motor industriales • Se utiliza para controladores electrónicos de balasto e iluminación • Se puede utilizar para módulos de gestión de energía y acondicionamiento de potencia • Apto para etapas de inversor de potencia media en sistemas de automatización

¿Qué formato de montaje utiliza para el montaje en PCB?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252 con tres contactos para soldadura de PCB.

¿Qué rango de temperatura puede soportar durante su funcionamiento?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta un máximo de 150 °C.

¿Cómo afecta su característica de puerta al diseño de conmutación?


La carga de puerta típica de 28 nC en el accionamiento de puerta nominal informa las estimaciones de corriente de accionamiento y pérdida de conmutación para la selección de controladores de puerta.

¿Cuál es la potencia continua máxima que puede disipar el dispositivo?


El dispositivo puede disipar hasta 78 W en condiciones de gestión térmica adecuadas.

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