MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
200-6866
Nº ref. fabric.:
SIHD6N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

E

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHD6N80AE-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva (CISS)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Protección ESD de diodo Zener integrado

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