MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8295
Nº ref. fabric.:
SIHB6N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-263

Serie

SIHB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.95Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay tiene pérdidas de conmutación y conducción bajas, se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia. Dispone de diodo Zener integrado para protección contra ESD.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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