MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
268-8294
Nº ref. fabric.:
SIHB6N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

SIHB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.95Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay tiene pérdidas de conmutación y conducción bajas, se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia. Dispone de diodo Zener integrado para protección contra ESD.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.