MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

5,09 €

(exc. IVA)

6,158 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 668 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 182,545 €5,09 €
20 - 482,285 €4,57 €
50 - 982,16 €4,32 €
100 - 1982,04 €4,08 €
200 +1,885 €3,77 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2837
Nº ref. fabric.:
SIHA24N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

TO-220

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

184mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Enlaces relacionados