MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHA24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2836
- Nº ref. fabric.:
- SIHA24N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
84,75 €
(exc. IVA)
102,55 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 650 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,695 € | 84,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2836
- Nº ref. fabric.:
- SIHA24N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 184mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 184mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de drenaje a fuente de 850 V, corriente de drenaje continua de 9 A - SIHA24N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y control de potencia en montajes de orificio pasante. Se suministra en un encapsulado TO-220 adecuado para los métodos de montaje tradicionales y está diseñado para funcionar en un amplio rango térmico para sistemas electrónicos exigentes.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje de 850 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 9 A para un manejo de potencia sostenido
• La Rds(on) de 184 mΩ reduce las pérdidas por conducción en corrientes de funcionamiento
• La disipación máxima de 35 W permite un rendimiento de potencia significativo
• La carga de puerta típica de 59 nC permite una dinámica de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes
• Corriente de drenaje continua de 9 A para un manejo de potencia sostenido
• La Rds(on) de 184 mΩ reduce las pérdidas por conducción en corrientes de funcionamiento
• La disipación máxima de 35 W permite un rendimiento de potencia significativo
• La carga de puerta típica de 59 nC permite una dinámica de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Se utiliza para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Ideal para diseños de inversores y convertidores de potencia media
• Puede utilizarse para la conversión dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Apto para laboratorios y prototipos de montaje en orificio pasante
• Se utiliza para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Ideal para diseños de inversores y convertidores de potencia media
• Puede utilizarse para la conversión dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Apto para laboratorios y prototipos de montaje en orificio pasante
¿Qué temperaturas extremas puede soportar en funcionamiento?
Funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles.
¿Cómo afecta la tensión directa a los circuitos de conmutación?
La tensión directa de 1,2 V influye en la caída de conducción durante la conducción de cuerpo-diodo y debe tenerse en cuenta al estimar las pérdidas de recuperación inversa.
¿Es adecuado el dispositivo para sistemas electrónicos de automoción?
No está especificado conforme a los estándares de automoción, por lo que se recomienda una validación adicional para aplicaciones de vehículos.
¿Qué consideraciones de montaje y conexión se aplican a la gestión térmica?
El formato de orificio pasante TO-220 permite la disipación térmica directa a la lengüeta para mejorar la disipación térmica hasta el límite de potencia indicado.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 850 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 850 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 850 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Reducción, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Reducción, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 850 V Mejora, TO-252 de 3 pines