MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

84,75 €

(exc. IVA)

102,55 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 650 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 +1,695 €84,75 €

*precio indicativo

Código RS:
228-2836
Nº ref. fabric.:
SIHA24N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

E

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

184mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 9 A - SIHA24N80AE-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de tipo N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos industriales. Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-220 para un montaje sencillo y una interfaz térmica, y es adecuado para equipos donde se requiere un manejo robusto de tensión de fuente de drenaje y capacidad de corriente moderada.

Características y ventajas:


• Tensión máxima de drenaje-fuente de 850 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 9 A que permite un manejo moderado de la carga
• Rds(on) de 184 mΩ que proporciona pérdidas de conducción predecibles
• carga de puerta típica de 59 nC que permite energía de conmutación controlada
• Disipación de potencia de 35 W para un espacio térmico significativo
• Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C compatible con entornos de temperatura elevada

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación que requieren componentes de conmutación de alta tensión
• Ideal para circuitos de etapa de puerta de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para circuitos de amortiguación y abrazadera de alta tensión en sistemas de automatización
• Puede utilizarse para conmutación en el lado de la línea en equipos de iluminación y control
• Apto para prototipos y placas de producción que necesitan montaje en orificio pasante

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetar los diseñadores para un funcionamiento seguro?


La tensión de fuente de puerta no debe superar 30 V para evitar sobretensión del dieléctrico de puerta.

¿Cómo afecta la gestión térmica a la capacidad de corriente continua?


La potencia nominal de disipación de 35 W supone una disipación térmica eficaz

sin vías térmicas adecuadas, la temperatura de unión aumentará y la capacidad de corriente continua se reducirá.

¿Es este dispositivo adecuado para aplicaciones de automoción que requieren estándares de automoción específicos?


No está designado conforme a estándares específicos de automoción y debe evaluarse frente a requisitos de certificación de nivel de vehículo antes de su uso.

¿Cuáles son las compensaciones de conmutación esperadas dadas la carga de puerta y Rds(on)?


La carga de puerta moderada combinada con una resistencia de conexión de 184 mΩ indica un equilibrio entre pérdidas de conmutación y pérdidas de conducción

la resistencia de la unidad de puerta y la frecuencia de conmutación determinarán la eficiencia general.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.