MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

54,60 €

(exc. IVA)

66,05 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 850 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 501,092 €54,60 €
100 - 2000,928 €46,40 €
250 +0,819 €40,95 €

*precio indicativo

Código RS:
228-2880
Nº ref. fabric.:
SiHP6N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

E

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Enlaces relacionados