MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG24N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 21 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

8,78 €

(exc. IVA)

10,62 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 478 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 184,39 €8,78 €
20 - 484,17 €8,34 €
50 - 983,95 €7,90 €
100 - 1983,73 €7,46 €
200 +2,85 €5,70 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2870
Nº ref. fabric.:
SIHG24N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Serie

E

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

184mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Enlaces relacionados