MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 200-6867
- Nº ref. fabric.:
- SIHD6N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,754 € | 18,85 € |
| 50 - 100 | 0,603 € | 15,08 € |
| 125 - 225 | 0,528 € | 13,20 € |
| 250 - 600 | 0,472 € | 11,80 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6867
- Nº ref. fabric.:
- SIHD6N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SIHD6N80AE-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.
Figura de mérito baja
Baja capacitancia efectiva (CISS)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Protección ESD de diodo Zener integrado
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