MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
210-4978
Nº ref. fabric.:
SIHD11N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

391mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.4 mm

Longitud

9.4mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado DPAK (TO-252) con configuración única.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (CISS)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Protección ESD de diodo Zener integrado

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