MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-4874
- Nº ref. fabric.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4874
- Nº ref. fabric.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 2.25mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 2.25mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,9 A - SIHD2N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para su uso en sistemas industriales y electrónicos donde se requiere un manejo de tensión y una resistencia térmica robustos. Funciona como un dispositivo de canal N de modo de mejora diseñado para instalación en superficie y es adecuado para tareas de conversión de potencia y control en equipos eléctricos y de automatización.
Características y ventajas:
• La clasificación de 800 V permite la conmutación de alta tensión en diseños compactos • La corriente de drenaje continua de 2,9 A admite corrientes de carga moderadas • Carga de puerta típica de 7 nC para una gestión eficiente de la energía de accionamiento de puerta • La Rds(on) de 2,9 Ω limita las pérdidas de conducción bajo cargas de ligera a moderadas • La disipación de potencia de 62,5 W permite una carga térmica sostenida • Rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C para aplicaciones de temperatura elevada
Aplicaciones
• Apto para conmutación de carril de alta tensión en convertidores industriales • Ideal para uso en etapas de potencia en accionamientos de motor con corrientes moderadas • Se utiliza para conmutación del lado de la línea en fuentes de alimentación e inversores • Puede utilizarse para la supresión de transitorios y circuitos amortiguadores en sistemas de CA
¿Qué rango de tensión de puerta debo observar para los circuitos de control?
El dispositivo tolera tensiones de fuente de puerta de hasta 30 V, por lo que los controladores de puerta deben especificarse para permanecer dentro de este máximo para evitar la degradación de la puerta.
¿Cómo afecta el montaje al rendimiento térmico?
Como encapsulado TO-252 de montaje en superficie, la transferencia térmica se basa en una buena superficie de cobre de PCB y vías térmicas para disipar la potencia nominal del dispositivo
el cobre insuficiente elevará la temperatura de la unión.
¿Qué número de contactos y configuración de encapsulado se proporcionan?
El componente se suministra en una configuración TO-252 de tres contactos adecuada para procesos de montaje en superficie estándar.
¿Cómo debo tener en cuenta el comportamiento de conducción directa en el diseño?
La tensión directa comunicada es de 1,2 V
Incluirlo en los cálculos de pérdida cuando el diodo del cuerpo conduce durante eventos de recuperación inversa o rectificación síncrona.
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