- Código RS:
- 145-1656
- Nº ref. fabric.:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricante:
- Vishay
355 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 50)
0,712 €
(exc. IVA)
0,862 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
50 - 50 | 0,712 € | 35,60 € |
100 - 200 | 0,541 € | 27,05 € |
250 + | 0,499 € | 24,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-1656
- Nº ref. fabric.:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Serie | D Series |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,2 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 104 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 6.73mm |
Material del transistor | Si |
Ancho | 6.22mm |
Altura | 2.38mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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