MOSFET, N-Canal Vishay SIHD690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
200-6828
Nº ref. fabric.:
SIHD690N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHD690N60E-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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