MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, TO-252, Mejora de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Código RS
145-1656

unitario (En un Tubo de 50)

35,90 €

(exc. IVA)

43,44 €

(inc.IVA)

Código RS:
787-9143
Nº ref. fabric.:
SIHD3N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

D Series

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30, -30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

6.22mm

Altura

2.38mm

Longitud

6.73mm

MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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