MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, TO-252, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 787-9143
- Nº ref. fabric.:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 787-9143
- Nº ref. fabric.:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | D Series | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30, -30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie D Series | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30, -30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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