MOSFET Vishay SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Código RS
145-1656

unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,81 €

(exc. IVA)

0,98 €

(inc.IVA)

Código RS:
787-9143
Nº ref. fabric.:
SIHD3N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Serie

D Series

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Material del transistor

Si

Ancho

6.22mm

Altura

2.38mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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