MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
146-4437
Nº ref. fabric.:
SI2302DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.075Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

0.86W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

Libre de halógenos

MOSFET de potencia TrenchFET®

Probado 100 % Rg

APLICACIONES

Conmutación de carga para dispositivos portátiles

Convertidor dc/dc

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