MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 146-4437
Nº ref. fabric.:: SI2302DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

11400 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,10 €

(exc. IVA)

0,12 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,10 €	300,00 €
6000 +	0,095 €	285,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 146-4437
Nº ref. fabric.:: SI2302DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Libre de halógenos
MOSFET de potencia TrenchFET®
Probado 100 % Rg
APLICACIONES
Conmutación de carga para dispositivos portátiles
Convertidor dc/dc

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	75 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	0,71 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.4mm
Longitud	3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,5 nC a 4,5 V
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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